Semiconductores: Análisis correlativo avanzado de materiales complejos

El desarrollo de semiconductores avanzados, desde materiales wide bandgap hasta estructuras bidimensionales, plantea retos críticos de caracterización.

En este webinar hablaremos de cómo la microscopía Raman confocal correlativa, integrada con AFM, fluorescencia y SNOM, permite abordar los desafíos más complejos en semiconductores avanzados. Mostraremos aplicaciones prácticas en distintos tipos de materiales y cómo obtener información estructural, química y topográfica de forma simultánea y no destructiva.

En materiales como el Carburo de silicio (SiC) y el Nitruro de galio (GaN), el control preciso de tensiones internas, defectos cristalinos y distribución de dopaje es fundamental para optimizar el rendimiento y la fiabilidad de dispositivos de potencia y RF.

En semiconductores 2D como el Disulfuro de molibdeno (MoS₂), Diseleniuro de tungsteno (WSe₂) y Grafeno (grafeno), pequeñas variaciones en el número de capas, en el strain local o en defectos estructurales pueden alterar significativamente las propiedades electrónicas y ópticas, afectando transistores, sensores, heteroestructuras y dispositivos flexibles.

En heteroestructuras III-V como el Arseniuro de galio (GaAs), la uniformidad interfacial y la calidad cristalina son determinantes para la eficiencia de láseres, fotodetectores y dispositivos de alta frecuencia.

Objetivos de aprendizaje

• Mapear tensiones internas y strain con resolución nanométrica
• Identificar defectos cristalinos y variaciones estructurales
•  Analizar dopaje y composición química de manera no destructiva
• Correlacionar simultáneamente información química y topográfica sobre la misma región de la muestra